参数	值
产品	未分类
型号编码	NST848BF3T5Gn:
说明	未分类   SOT-1123 SOT-1123-3
起订量	8
最小包	8
现货	410 [库存更新时间：2024-05-06]
电流-集电极（Ic）（最大值）	100mA
不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）	600mV @ 5mA,100mA
电流-集电极截止（最大值）	15nA(ICBO)
不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）	200 @ 2mA,5V
功率	0.29W
频率-跃迁	100MHz
工作温度	-55°C ~ 150°C(TJ)
封装/外壳	SOT-1123
封装/外壳	SOT-1123-3
FET类型	NPN
集电极最大允许电流Ic	0.1A
集电极_发射极击穿电压VCEO	30V
电流放大倍数最小值hFE_Min	200
电流放大倍数最大值hFE_Max	450
最高工作温度	+ 150 C
200 at 2 mA at 5 V	直流电最大增益hFE
系列	NST848BF3T5G
最大功率消耗	347 mW
最低工作温度	- 55 C
标准包装数量	8000
配置	Single
FET类型	NPN
集电极-基极电压VCBO	30 V
发射机-基极电压VEBO	5 V
集电极最大直流电流	0.1 A
100 MHz	增益带宽积 fT